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测试硅光二极管对光子的响应

PD测试图

  • 模拟文件1,其中的恒流源和100pF电容的并联为PD的等效电路。 修改某些参数,使之更符合实际的测试系统, 模拟文件2:硅光二极管的电容在0电压时为700pF,在加压100V时电容为70pF。放大器的输入电容为10nF
  • PD处在反向偏置电压100伏下,PD,电源,和10M电阻构成一个电流回路
  • PD的电离电荷在PD的电容上产生瞬间电压,并送到到前放的输入端,拉高前放输入端的电位和输入电容后的理想放大器输入端的电位。理想放大器输入端恢复0电位需要一定的时间(ns到几十ns),在这个时间内,电离电荷将陆续送到输入电容上去。由于输入电容比硅光二极管电容大10倍以上,因此所有电荷或者说按比例大部分电荷都会送入输入电容上,而大大降低PD电容上的电压,然后这个很小的电压再通过10M欧姆以0.1秒(100nF*10M)的时间泄放,如果测量频率太高,需要通过降低电阻而减小这个时间常数。
  • 如果PD的电容很大(无偏压时候),相同的电离电荷产生的瞬间电压很小,理想放大器将稍微拉大的电位恢复需要的时间因为低压而变得很长,因而电荷向输入电容转移变得很长,放大信号的上升时间也就很长。相反如果PD有偏压的时候,电容很小,电离电荷产生的瞬间电压很大,理想放大器从较高电压恢复到一定的比例需要的时间很短,因而电荷向输入电容转移的很快,放大信号的上升沿也就很快,这种上升沿时间的差距导致两者放大信号之间的幅度比例约为1.5:1 (模拟)。 极端情况下,假设PD没有电容,所有电离电荷将一瞬间送入输入电容,放大信号上升时间最短。
  • PD的电离电荷在PD电容上产生的电压,根据电压相同的比例,分给输入电容C2大部分的电荷,大大降低了PD上的电压,然后再一起通过10M电阻泄放掉。 由于放大器并非完全理想,其输入端的保持0电位需要时间,模拟表明这个时间在微秒量级。
  • C2上的电荷和C1上的电荷产生相同的电压,但是C1小, 如果使用较大的C2,则可以提高放大倍数,也就是尽量多的将PD的电离电荷吸收到输入电容上面去,输入到放大器中。 APDtest.jpg

PD电电离电荷的产生

  • PD2744 的耗尽层70伏时为0.3毫米
  • 最小电离粒子在硅上每厘米产生3.8MeV的电离损失,每微米产生106个电子空穴对
  • 0.3毫米上导致电离能损0.114MeV, 将产生106*300=31800个电子空穴对
  • 这些电荷将在100pF的电容上产生电压50微伏的电压
  • 在放大器末端产生166微伏的电压,这和测量的结果不同,需要确定电路的参数。

  • 首先电子的电离损失比最小电离粒子大50%,因此产生的电压应该为250微伏,仍然比实际观察到的10-30毫伏差了很多
  • 放大器输入电容是10nF, 远远大于PD的100pF相比,因此所有电荷都被转移过来,那么31800*150%个电子将在0.6pF上产生的信号峰值为 产生输出电压为12.7毫伏。

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